一、引言
PI 鍍銅膜作為一種重要的功能材料,在柔性電路板、電磁屏蔽等眾多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。其導(dǎo)電性能是決定其應(yīng)用效能的關(guān)鍵因素之一,而銅層厚度作為可調(diào)控的參數(shù),對導(dǎo)電性能有著至關(guān)重要的影響。先進院(深圳)科技有限公司一直致力于 PI 鍍銅膜相關(guān)技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新,為深入理解其性能關(guān)系提供了有力支持。
二、實驗部分
(一)實驗材料與樣品制備
實驗采用
先進院(深圳)科技有限公司自主研發(fā)的 PI 薄膜作為基底材料,其具有優(yōu)異的耐高溫、機械性能和化學穩(wěn)定性。銅鍍層采用電鍍工藝制備,通過準確控制電鍍時間、電流密度等參數(shù),制備出一系列不同銅層厚度的 PI 鍍銅膜樣品。銅層厚度范圍設(shè)定為 1 - 10 微米,以確保涵蓋從較薄到較厚的不同應(yīng)用場景需求。
(二)測試方法
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銅層厚度測量
運用高精度的膜厚測量儀,如 X 射線熒光測厚儀(XRF),對 PI 鍍銅膜樣品的銅層厚度進行準確測量。該儀器能夠非破壞性地快速準確測定銅層厚度,測量精度可達 ±0.1 微米,為后續(xù)分析提供可靠的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。
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導(dǎo)電性能測試
采用四探針法測量 PI 鍍銅膜的電阻率,以此表征其導(dǎo)電性能。四探針法能夠有效排除接觸電阻的干擾,準確測量材料的體電阻。在測量過程中,確保探針與樣品表面良好接觸,測量環(huán)境溫度控制在 25±2℃,濕度在 40% - 60%,以減少環(huán)境因素對測量結(jié)果的影響。
三、結(jié)果與討論
(一)銅層厚度對電阻率的影響
隨著銅層厚度從 1 微米逐漸增加到 10 微米,
PI 鍍銅膜的電阻率呈現(xiàn)出明顯的下降趨勢。當銅層厚度較薄時,例如 1 - 3 微米,電阻率相對較高,這是由于此時銅層中的電子傳導(dǎo)路徑相對較少,電子散射現(xiàn)象較為嚴重,限制了電流的有效傳輸。隨著銅層厚度增加到 5 - 7 微米,電阻率下降幅度逐漸增大,電子傳導(dǎo)路徑增多,電子在銅層中的遷移更加順暢,導(dǎo)電性能顯著提升。當銅層厚度達到 8 - 10 微米時,電阻率下降趨勢趨于平緩,表明此時繼續(xù)增加銅層厚度對導(dǎo)電性能的提升效果逐漸減弱。
(二)微觀結(jié)構(gòu)分析
通過掃描電子顯微鏡(SEM)對不同銅層厚度的 PI 鍍銅膜進行微觀結(jié)構(gòu)觀察。結(jié)果發(fā)現(xiàn),較薄銅層時,銅晶粒較小且分布相對不均勻,晶界較多,電子在穿越晶界時會發(fā)生散射,從而影響導(dǎo)電性能。隨著銅層厚度增加,銅晶粒逐漸長大并趨于均勻分布,晶界減少,電子傳導(dǎo)的阻礙減小,這與電阻率的變化趨勢相吻合。先進院(深圳)科技有限公司在研究中進一步發(fā)現(xiàn),通過優(yōu)化電鍍工藝參數(shù),可以在一定程度上調(diào)控銅晶粒的生長方向和大小,從而進一步改善 PI 鍍銅膜的導(dǎo)電性能。
四、理論分析
從理論層面來看,根據(jù)經(jīng)典的電子輸運理論,材料的電阻率與電子的散射機制密切相關(guān)。在
PI 鍍銅膜中,當銅層較薄時,表面散射和晶界散射起主導(dǎo)作用,導(dǎo)致電阻率較高。隨著銅層厚度增加,電子的平均自由程增加,散射概率降低,導(dǎo)電性能得到提升。當銅層厚度達到一定程度后,內(nèi)部缺陷散射和雜質(zhì)散射成為影響電阻率的主要因素,而這些因素與銅層厚度的相關(guān)性相對較弱,因此電阻率變化趨于平緩。
五、結(jié)論
通過實驗研究與理論分析,明確了
PI 鍍銅膜導(dǎo)電性能與銅層厚度之間的關(guān)系。在銅層厚度較薄時,導(dǎo)電性能較差,隨著銅層厚度增加,導(dǎo)電性能顯著提升,當厚度達到一定值后,提升效果逐漸減弱。先進院(深圳)科技有限公司的研究成果為 PI 鍍銅膜在實際應(yīng)用中的銅層厚度設(shè)計提供了重要的參考依據(jù),有助于推動該材料在柔性電子、電磁屏蔽等領(lǐng)域的進一步應(yīng)用與發(fā)展,為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級提供了有力的技術(shù)支撐。
以上數(shù)據(jù)僅供參考,具體性能可能因生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品規(guī)格而有所差異。